作为集成电路(ICs)的基础材料, 直拉硅(CZ-Si)单晶的机械强度不仅是硅片加工和ICs 制造过程中工艺参数设定的重要考虑因素, 而且在很大程度上决定了ICs 芯片在测试和封装过程中出现的失效情况.目前,ICs 的器件特征尺寸仍在继续减小, 由此带来的器件集成规模的增长会导致硅衬底中应力水平的提高, 从而使位错更易产生.因此, 改善直拉硅片的机械强度对于提高ICs 的制造成品率具有重要意义.本文提出在直拉硅单晶中同时掺入锗和氮两种杂质来改善硅片机械强度的思路.基于此, 对比研究了普通的、单一掺锗的、单一掺氮的、锗和氮共掺的直拉硅单晶的室温硬度及其在600—1200 ℃时的位错滑移行为.研究结果表明: 1)单一的锗掺杂或氮掺杂以及锗和氮两种杂质的共掺几乎都不影响直拉硅单晶的室温硬度, 意味着上述掺杂没有改变室温下的位错滑移行为.2)氮掺杂能显著抑制位错在600—1000 ℃的滑移, 但对位错在1100 ℃及以上温度的滑移几乎没有抑制效应; 锗掺杂几乎不能抑制位错在 600—900 ℃的滑移, 但对位错在1000 ℃及以上温度的滑移具有显著的抑制效应.3)锗和氮两种杂质的共掺对位错在600—1200 ℃的滑移均有显著的抑制效应, 表明氮掺杂和锗掺杂的互补优势得到了很好的结合.分析认为, 在600—1000 ℃的温度范围内,氮掺杂导致在位错核心处形成与氮-氧复合体相关的钉扎中心, 从而抑制位错的滑移; 在1000 ℃及以上温度,锗掺杂导致在位错前沿附近形成锗-氧复合体, 从而阻碍位错的滑移.总之, 本文的研究表明在直拉硅单晶中同时掺入锗和氮两种杂质可以进一步地增强硅片在ICs 制造工艺温度下的机械强度.

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