「机械电力」深紫外发光二极管研究进展及其在
1.紫外光波简介
紫外光波长处于100~400nm,其光子能处于3.1~12.4eV范围内,按照实际波长范围,还可以将紫外光波分为以下几种类型,如表1所示。
紫外光虽可按照波长范围分为4种,但受臭氧及大气层吸收影响,真空紫外(VUV)、短波紫外(UVC)及大部分的中波紫外(UVB)无法透射到地表,故真空、短波紫外也为“日盲紫外”。中波及长波紫外会作用retire的表皮色素细胞,有助于人体合成维生素D。而用于消毒杀菌的主要是200~350nm波段紫外,短波紫外可有效破坏病毒中脱氧核糖核酸、核糖核酸,起到杀菌灭毒作用,以大肠杆菌、冠状病毒杀灭为例,紫外波段在电磁波的位置及短波紫外对病毒的灭活如图1所示。
2.深紫外LED器件
2.1简介
LED为半导体,pn结是其核心,常见深紫外LED为倒装结构,衬底位置设置导出光线,电极下端设置电路,保证LED散热稳定,结构如图2所示。
对深紫外LED来说,要获取全覆盖性光源,在360nm的光源LED内,需重视添加Al元素。可在混晶内适当调Al摩尔比,将有源区阱的带隙调节到规定的UVC波长。有学者提出,实验室以纯AIN为有源,可研制出210nm的LED。有源区设置含Mg的AlGaN为二极管空穴,可避免发生电子溢出。
2.2技术问题
当下技术成熟的蓝光LED,对应芯片的外量子效率较低,且封装材料常出现老化发热,其热管理效果不佳,技术方面存在诸多瓶颈。
例如,芯片质量及光的取出效率对其外量子效率影响较大。而紫外发光波长逐渐从蓝光变为UV光,伴随发光波长逐渐变短,芯片的有源区内量子效率也会逐渐降低。同时,高Al组分氮化物半导体外延不成熟也制约着深紫外LED应用发展。
2.3热管理问题
UVCLED的芯片的能带间隙较高,而p型层电导率较低,这就导致开启后LED的正向电压高,导致电功率明显上升,此时,较低的外量子效率将导致大部分电能转为热能,影响量子效率,还会加速封装材料的老化。为保障UVCLED的消毒质量,必须控制好其散热效率。蓝宝石材料的热导率不高,采取倒转芯片方式,可便于热量以金属电极传递到基板并导出。此外,还可采取高热导率的金属,提高消毒效果。基板也许具备良好的绝缘、不易光降解及良好导热性特点,蓝光LED通常采用满足电气连接及导热功能的金属基印刷电路板,但该电路板其环氧树脂层易受UVC影响,发生降解,故不宜作为UVCLED基板,可采取AIN电子陶瓷材料,有效提高基板热导率。
3.深紫外LED杀菌消毒应用
3.1深紫外LED消毒的原理
深紫外LED对病毒的杀灭需达到广谱性、快速性及无害性。在紫外LED研究中,发现DNA、RNA是生物重要遗传物质,以紫外LED对生物的DNA、RNA破坏,可实现病毒灭活。而碱基是DNA、RNA基本元件,其中的嘌呤、嘧啶会吸收紫外光,且以嘧啶的吸收率最高。UV照射生成环丁烷嘧啶二聚体、嘧啶-嘧啶酮光产物,将破坏DNA、RNA结构,控制其复制、转录、翻译,最终实现细胞杀灭。由于不同生物中都有DNA、RNA,故UV辐射消毒具有广谱性。此外,不同核苷酸对各个波长的UVC较为敏感,可见UVCLED消毒效果较理想,其消毒效率甚至高于高温消毒。
3.2深紫外LED的消毒应用
现有UVCLED消毒多按照汞灯消毒方式设计,但是UVCLED波长260~280nm,与汞灯波长(253.7nm)存在明显差异,应按照具体杀菌情况选择合适的UVCLED光源波长。目前应用UVCLED杀菌可分为水体杀菌及空气杀菌。某研究团队对UVCLED对水体的消毒深入分析,对不同波长、强度的UVCLED消毒效果比对分析,发现采用275nm波长对大肠杆菌杀灭效果最好,对UVLED消毒比较研究,若长期消毒,可采取脉冲驱动深紫外LED消毒。在水中加入光催化剂,生成活性氧离子增加消毒作用,275nm的UVLED配合光催化剂是最佳的水体消毒方案。
国外某团队对UV的空气杀菌分析,在空调系统中安装UV杀菌辐射系统,发现其杀菌效果比便携式UV杀菌效果好。还有学者提出,将有上层UV杀菌技术的紫外线杀菌(UVGI)装在房上面,形成可照射上部空气的装置,对黏质沙雷氏菌、产检假单胞菌等细菌展开杀菌实验,发现采用该装置可对空气中病菌的有效杀灭,可有效降低空气中不良病菌的浓度。随着空气通风速率不断增加,该装置的杀菌效果下降。故采取上述杀菌装置,可有效降低空气传播中的病原体,但是需将系统设置在通风不良的房间中。
文章来源:《机械强度》 网址: http://www.jxqdzzs.cn/zonghexinwen/2021/0301/489.html